參數(shù)資料
型號： PDTA115EEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
中文描述： 20 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 93K
代理商： PDTA115EEF
2004 Jul 30
9
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 100 k
, R2 = 100 k
PDTA115E series
UNIT
A
1
max.
A
(1)
b
b
1
e
1
e
L
L
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35
0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883
SC-101
03-02-05
03-04-03
D
E
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b1
A1
A
D
L1
0
0.5
1 mm
scale
Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm
SOT883
e
e1
相關PDF資料
PDF描述
PDTA115ES PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTA115E PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTA124XEF PNP resistor-equipped transistor
PDTA124XS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 47 kohm
PDTA124X PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 47 kohm
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PDTA115EK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTA115EK T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ
PDTA115EM T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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