參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA115EK
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
中文描述： 20 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： PDTA115EK
2004 Jul 30
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 100 k
, R2 = 100 k
PDTA115E series
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Inverter and interface circuits
Circuit driver.
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
50
UNIT
V
CEO
collector-emitter
voltage
output current (DC)
bias resistor
bias resistor
V
I
O
R1
R2
100
100
20
mA
k
k
PRODUCT OVERVIEW
Note
1.
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE
NPN COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115EM
PDTA115ES
PDTA115ET
PDTA115EU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 (TO-92)
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
5E
6B
62
F6
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115EM
PDTC115ES
PDTC115ET
PDTC115EU
TA115E
*AB
(1)
*7C
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTA115EEF PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTA115ES PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTA115E PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTA124XEF PNP resistor-equipped transistor
PDTA124XS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 47 kohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTA115EK T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EK,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ
PDTA115EM T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EM,315 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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