參數(shù)資料
型號(hào)： PDTA144E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP resistor-equipped transistors
中文描述： PNP配電阻型晶體管
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： PDTA144E
2004 Aug 05
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 47 k
, R2 = 47 k
PDTA144E series
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Notes
1.
2.
3.
Refer to standard mounting conditions.
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60
μ
m copper strip line.
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
3.
Refer to standard mounting conditions.
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60
μ
m copper strip line.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
10
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
I
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
+10
40
100
100
V
V
mA
mA
I
O
I
CM
P
tot
T
amb
≤
25
°
C
note 1
note 1
note 1
note 1
note 1
notes 1 and 2
notes 2 and 3
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
T
stg
T
j
T
amb
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
in free air
note 1
note 1
note 1
note 1
note 1
notes 1 and 2
notes 2 and 3
250
500
500
625
833
500
500
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
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PDF描述
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PDTD123E NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
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