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參數(shù)資料
| 型號： | PDTC114TK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | PDTC114TK |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Nov 26
1999 May 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTC114EE
NPN resistor-equipped transistor
M3D173
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC114TS | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC114EEF | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC115EK | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm |
| PDTC115EEF | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm |
| PDTC115E | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDTC114TK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114TK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114TM | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital NPN Transistor,10k,SOT-883 |
| PDTC114TM T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114TM,315 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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