參數(shù)資料
型號(hào)： PDTC115EEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： PDTC115EEF
2004 Aug 06
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 100 k
, R2 = 100 k
PDTC115E series
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
3.
Refer to standard mounting conditions.
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60
μ
m copper strip line.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT833
SOT490
in free air
note 1
note 1
note 1
note 1
note 1
notes 2 and 3
notes 1 and 2
250
500
500
625
833
500
500
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
80
3
70
0.8
TYP.
1.1
1.5
100
1
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
= 50 V; I
E
= 0 A
V
CE
= 30 V; I
B
= 0 A
V
CE
= 30 V; I
B
= 0 A; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
V
CE
= 5 V; I
C
= 5 mA
I
C
= 5 mA; I
B
= 0.25 mA
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 0.3 V
100
1
50
50
150
0.5
130
1.2
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
resistor ratio
mV
V
V
k
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0 A; V
CB
= 10 V;
f = 1 MHz
2.5
pF
R1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC115E NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
PDTC115ES NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC144WK NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 KOHM, R2 = 22 KOHM
PDTC144 NPN resistor-equipped transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTC115EEF,115 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-490 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
PDTC115EK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EK,115 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC115EM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EM T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*