參數(shù)資料
型號: PDTC115ES
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/14頁
文件大?。?/td> 93K
代理商: PDTC115ES
2004 Aug 06
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 100 k
, R2 = 100 k
PDTC115E series
SIMPLIFIED OUTLINE, SYMBOL AND PINNING
TYPE NUMBER
SIMPLIFIED OUTLINE AND SYMBOL
PINNING
PIN
DESCRIPTION
PDTC115ES
1
2
3
base
collector
emitter
PDTC115EE
PDTC115EEF
PDTC115EK
PDTC115ET
PDTC115EU
1
2
3
base
emitter
collector
PDTC115EM
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM364
1
2
3
R1
R2
2
3
1
handbook, halfpage
MDB269
1
2
3
Top view
R1
R2
1
2
3
handbook, halfpage
MHC506
1
2
3
R1
R2
2
1
3
bottom view
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC144WK NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 KOHM, R2 = 22 KOHM
PDTC144 NPN resistor-equipped transistor
PDTC144ES NPN resistor-equipped transistor
PDTC144WS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 KOHM, R2 = 22 KOHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTC115ES,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC115ET 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital NPN Transistor,100k,100k,SOT-23
PDTC115ET T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC115ET,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC115ET215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR NPN 50V 100MA 100KOHM