參數(shù)資料
型號(hào)： PDTD114ET
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistor
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： PDTD114ET
DATA SHEET
Objective specification
Supersedes data of February 1995
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 02
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTD114ET
NPN resistor-equipped transistor
handbook, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDU-1316 Digitally Programmable Delay Units
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參數(shù)描述
PDTD114ETR 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.425W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:225MHz 功率 - 最大值:320mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PDTD123E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
PDTD123EK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
PDTD123EK T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTD123EK,115 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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