參數(shù)資料
型號(hào): PF08107B
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文件大小: 217K
代理商: PF08107B
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 6 of 44
Internal Diagram and External Circuit
PIN8
Pin
DCS
PIN1
Pin
GSM
PIN4
Pout
GSM
C3
PIN5
Pout
DCS
Bias circuit
PIN7
Vctl
PIN3
Vdd1
PIN6
Vdd2
PIN2
Vapc
Vctl
Vdd1
Vdd2
Vapc
Pin
Note: C1 to C4 = 0.01
μ
F CERAMIC CHIP
C5 = C6 = 4.7 μF TANTALUM ELECTROLYTE
FB = FERRITE BEAD BLO1RN1-A62-001 (MURATA) or equivalent
Z1 = Z2 = Z3 = Z4 = 50
MICRO STRIP LINE
Pout
GSM
C4
FB
FB
FB
Z1
Pin
Z2
Z3
Pout
DCS
Z4
FB
C5
C6
C2
FB
C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF08107BP
PF08109B-TB RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PF08114B
PF08122B
PF08123B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PF08107BP 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
PF08109B 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
PF08109B-TB 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PF08114B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
PF08122B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述: