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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PF48F0P0ZT00 |
| 廠(chǎng)商： | Intel Corp. |
| 元件分類(lèi)： | 圓形連接器 |
| 英文描述： | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:20-41 |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/102頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | PF48F0P0ZT00 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
31
6.0
Electrical Specifications
6.1
DC Current Characteristics
Table 12. DC Current Characteristics (Sheet 1 of 2)
Sym
Parameter
CMOS
Inputs
(V
=
1.7 V - 3.6 V)
TTL Inputs
(V
CCQ
=
2.4 V - 3.6 V)
Unit
Test Conditions
Notes
Typ
Max
Typ
Max
I
LI
Input Load Current
-
±1
-
±2
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
CCQ
or V
SS
1
I
LO
Output
Leakage
Current
DQ[15:0], WAIT
-
±1
-
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
CCQ
or V
SS
I
CCS
,
I
CCD
V
CC
Standby,
Power Down
64-Mbit
20
35
20
35
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
CE# = V
CCQ
RST# = V
CCQ
(for I
CCS
)
RST# = V
SS
(for I
CCD
)
WP# = V
IH
1,2
128-Mbit
30
75
30
75
256-Mbit
55
115
55
200
512-Mbit
110
230
110
400
1-Gbit
220
460
220
800
I
CCR
Average
V
Read
Current
Asynchronous Single-
Word f = 5 MHz (1 CLK)
14
16
14
16
mA
1-Word
Read
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IL
OE# = V
IH
Inputs: V
IL
or V
IH
1
Page-Mode Read
f = 13 MHz (5 CLK)
9
10
9
10
mA
4-Word
Read
Synchronous Burst
f = 40 MHz
13
17
n/a
n/a
mA
BL = 4W
15
19
n/a
n/a
mA
BL = 8W
17
21
n/a
n/a
mA
BL = 16W
21
26
n/a
n/a
mA
BL = Cont.
I
CCW,
I
CCE
V
CC
Program Current,
V
CC
Erase Current
36
51
36
51
mA
V
PP
= V
PPL
, pgm/ers in progress
1,3,4,7
26
33
26
33
V
PP
= V
PPH
, pgm/ers in progress
1,3,5,7
I
CCWS,
I
CCES
V
Program
Suspend Current,
V
Erase
Suspend Current
64-Mbit
20
35
20
35
μA
CE# = V
CCQ
; suspend in
progress
1,3,6
128-Mbit
30
75
30
75
256-Mbit
55
115
55
200
512-Mbit
110
230
110
400
1-Gbit
220
460
220
800
I
PPS,
I
PPWS,
I
PPES
V
PP
Standby Current,
V
PP
Program Suspend Current,
V
PP
Erase Suspend Current
0.2
5
0.2
5
μA
V
PP
= V
PPL
, suspend in progress
1,3
I
PPR
V
PP
Read
2
15
2
15
μA
V
PP
≤
V
CC
1,3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF48F2P0ZT00 | Circular Connector; No. of Contacts:41; Series:; Body Material:Aluminum; Connector Shell Size:20; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:20-41 |
| PF48F3P0ZT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F4P0ZT00 | Circular Connector; No. of Contacts:21; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:22; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:22-21 |
| PF48F2000P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F3000P0ZBQ0 | CAP 0.01UF 63V 10% MET-POLY-BOX RAD5MM 7.5X6.5X2.5MM BULK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF48F0P0ZTQ0 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2000P0ZBQ0 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2000P0ZBQ0A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ |
| PF48F2000P0ZTQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2000P0ZTQ0A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):CAV24C32WE-GT3OSTR |
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