參數(shù)資料
型號(hào): PH3134-25M
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 3A I(C) | FO-91VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 63V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|佛91VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 124K
代理商: PH3134-25M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH3134-9L TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C)
PH3135-65M Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: SSOP; No of Pins: 28; Temperature Range: 0°C to +70°C
PH3135-80M Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: PDIP; No of Pins: 24; Temperature Range: -40°C to +85°C
PH313 SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR
PH3135-20M Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH3134-2OL 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-30S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH3134-55L 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH3134-65M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH3134-75S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray