型號(hào): | PH3134-25M |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 3A I(C) | FO-91VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 63V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|佛91VAR |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 124K |
代理商: | PH3134-25M |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PH3134-9L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C) |
PH3135-65M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: SSOP; No of Pins: 28; Temperature Range: 0°C to +70°C |
PH3135-80M | Clock-Tunable, Quad Second Order, Filter Building Blocks; Package: PDIP; No of Pins: 24; Temperature Range: -40°C to +85°C |
PH313 | SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR |
PH3135-20M | Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5 GHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PH3134-2OL | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz |
PH3134-30S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
PH3134-55L | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
PH3134-65M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
PH3134-75S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |