參數(shù)資料
型號(hào)： PH955L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Circular Connector; No. of Contacts:16; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:20; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
中文描述： 62.5 A, 55 V, 0.0083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： PH955L
1.
Product profile
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
PH955L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 1 March 2005
Product data sheet
I
Logic level threshold
I
Very low on-state resistance
I
DC-to-DC converters
I
General purpose power switching
I
Motors, lamps and solenoids
I
Portable appliances
I
V
DS
≤
55 V
I
R
DSon
≤
8.3 m
I
I
D
≤
62.5 A
I
Q
gd
= 16.4 nC (typ)
Table 1:
Pin
1, 2, 3
4
mb
Pinning
Description
source (S)
gate (G)
mounting base; connected to drain (D)
Simplified outline
Symbol
SOT669 (LFPAK)
mb
1
2
3
4
S
D
G
mbb076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH965C6 SPECIFICATION
PH967C6 SPECIFICATION
PHA2731-140L Radar Pulsed Power Module, 140W, 300ms, 10% Duty 2.7 - 3.1 GHz
PHA2731-190M Radar Pulsed Power Amplifier-190 Watts 2.7-3.1GHz,200ms Pulse,10% Duty
PHA3135-130M Computers; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH955L T/R 功能描述:MOSFET TRENCH-3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH955L,115 功能描述:MOSFET TRENCH-3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH965C6 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SPECIFICATION
PH965C6SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
PH9676C6 制造商:Fuji Electric 功能描述:Diode, Si, VF=5V, IO=10A, VRRM=600V, trr=30 ns, TO-247
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