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參數(shù)資料
| 型號： | PHB110NQ08LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 75 V, 0.00995 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | PHB110NQ08LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB110NQ08LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 29 March 2004
7 of 13
9397 750 12924
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
max
typ
min
03ap63
102
103
104
105
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP110NQ08LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB222NQ04LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHP222NQ04LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHB2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB110NQ08LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB110NQ08T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS? standard level FET |
| PHB110NQ08T /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB110NQ08T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB112N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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