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參數(shù)資料
| 型號： | PHB2N50E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | PHB2N50E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm : Net Mass: 1.4 g
Fig.22. SOT428 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.23. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.22 max
2.38 max
0.93 max
6.73 max
tab
0.3
0.5
10.4 max
0.5
0.8 max
(x2)
2.285 (x2)
seating plane
1.1
0.5 min
5.4
4 min
4.6
1
2
3
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
December 1998
9
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHD2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB2N50 | PowerMOS transistor |
| PHB3055E | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-404 |
| PHB30NQ15T | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB2N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB2N60T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-404 |
| PHB3055E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-404 |
| PHB30NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB32N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
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