參數(shù)資料
型號： PHD16N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 13.1 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： PHD16N03T
Philips Semiconductors
PHD16N03T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 18 August 2003
6 of 12
9397 750 11672
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03an47
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
5 V
Tj = 25
°
C
VGS = 4.5 V
10 V
8 V
6 V
7 V
03an49
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 25
°
C
175
°
C
03an48
0
50
100
150
0
5
10
15
20
ID (A)
RDSon
(m
)
7.5 V
Tj = 25
°
C
9 V
10 V
8 V
VGS = 7 V
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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