參數(shù)資料
型號： PHD83N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 72 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 282K
代理商： PHD83N03LT
Philips Semiconductors
PHD83N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 16 July 2001
6 of 13
9397 750 08217
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
≥
I
D
x R
DSON
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ad87
0
15
30
45
60
75
I
D
(A)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
(V)
3 V
4.5 V
T
j
= 25 oC
V
GS
= 2.5 V
10 V
3.5 V
03ad89
0
15
30
45
60
75
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 25 oC
175 oC
03ad88
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0)
0.06
0
15
30
45
60
75
I
D
(A)
R
DSon
(
3.5 V
V
GS
= 3 V
T
j
= 25 oC
10 V
4.5 V
2.5 V
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
a
a
R
DSon 25 C
)
---------------------------
=
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