參數(shù)資料
型號(hào)： PHE13003
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/7頁
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代理商： PHE13003
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13003AU
Fig.13. Test Circuit for the RBSOA test.
V
cl
≤
700V; V
cc
= 150V; L
B
= 1
μ
H; L
c
= 200
μ
H
Fig.14. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
for -V
BE
= 9V, 5V,3V & 1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
100
200
300
VCEclamp/V
400
500
600
700
800
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
IC/A
-9V
-5V
-3V
-1V
September 1999
5
Rev 1.000
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PDF描述
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