參數(shù)資料
型號： PHK24NQ04LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 21200 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： PHK24NQ04LT
Philips Semiconductors
PHK24NQ04LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 12 September 2003
2 of 12
9397 750 11709
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
40
40
±
20
21.2
15.9
60
6.25
+150
+150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
sp
= 80
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
sp
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
sp
= 25
°
C
-
-
5.2
20.8
A
A
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