參數(shù)資料
型號: PHM12NQ20T
英文描述: 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述: TrenchMOS(TM)的標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: PHM12NQ20T
Philips Semiconductors
PHM12NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 30 January 2003
7 of 12
9397 750 10876
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 11. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
2
4
6
VGS (V)
max
typ
min
003aaa356
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
(A)
IS
VSD (V)
Tj = 150
°
C
25
°
C
16
12
8
4
0
003aaa239
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHM15NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHM1880-15 Wireless Power Module, 15W 1805-1880 MHz
PHM1990-15 Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PHM960-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHN103S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHM12NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM13030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM13030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM15NQ20T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
PHM15NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHM1880-15 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:HZ 15WATT - Bulk