參數(shù)資料
型號： PHP125
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
中文描述： 2.5 A, 30 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： PHP125
1997 Jun 18
6
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP125
Fig.5
Gate-source voltage as a function of total
gate charge; typical values.
V
DD
=
15 V: I
D
=
1 A.
handbook, halfpage
(V)
0
2
4
8
10
0
8
MBG754
6
6
4
2
Qg (nC)
Fig.6 Output characteristics; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
2
10
2
4
6
8
10
0
MBG756
4
6
8
VDS (V)
VGS =
10 V
7.5 V
6 V
4.5 V
5 V
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
Fig.7 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
=
10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
2
4
8
8
6
4
2
0
MBG757
6
VGS (V)
Fig.8
Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
handbook, halfpage
IS
(A)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.4
2
2
4
6
0
MBG758
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
V
GD
= 0.
(1) T
j
= 150
°
C.
(2) T
j
= 25
°
C.
(3) T
j
=
65
°
C.
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