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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP33N10 |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor(功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | 34 A, 100 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | PHP33N10 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHP33N10
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKx56-lv
D =
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
BUK456-100A
8
VDS / V
70
60
50
40
30
20
10
0
4
5
6
7
10
15
20
ID / A
VGS / V =
1
10
100
1000
VDS / V
ID / A
1000
100
10
1
BUK456-100A,B
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
A
B
RDS(ON) = VDS/ID
0
20
40
60
80
BUK456-100A
ID / A
0.2
0.1
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
10
20
RDS(ON) / Ohm
VGS / V =
April 1998
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP34NQ11T | N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHP37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP37N06 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP33N10/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
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| PHP33NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP34NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP34NQ11T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
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