參數(shù)資料
型號： PHP65N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 71K
代理商： PHP65N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP65N06LT, PHB65N06LT
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
63
A
-
-
240
A
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
0.95
1.0
48
0.1
1.2
-
-
-
V
V
ns
μ
C
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
W
DSS
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 50 A; V
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
MAX.
125
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
January 1998
3
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP65N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP69N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP69NLT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP6N10E PowerMOS transistor
PHP6N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHP69N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP69N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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