參數(shù)資料
型號： PHP71NQ03LT
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： PHP71NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD71NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 25 June 2002
9 of 14
9397 750 09821
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
6.
Package outline
Fig 14. SOT78 (TO-220AB).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
D
D1
q
p
L
1
2
3
L1
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L2
UNIT
A1
b1
D1
e
p
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
(1)
E
L
00-09-07
01-02-16
mounting
base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB71NQ03LT Rail-to-Rail Input Rail-to-Rail Output Zero-Drift Op Amp; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C
PHE13002AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP71NQ03LT,127 功能描述:MOSFET PHP71NQ03LT/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP71NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220
PHP73N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP73N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP75NQ08T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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