PIC12F683-E (Extended)
參數(shù)資料
型號： PIC12F683T-E/MF
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 27/176頁
文件大小： 0K
描述： IC MCU FLASH 2KX14 8DFN
Digi-Key 應(yīng)用說明： AN0005 PWM Example with Microchip's CCP Module
AN0005 Example Code
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
系列： PIC® 12F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 20MHz
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 5
程序存儲(chǔ)器容量： 3.5KB（2K x 14）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 128 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤
包裝： 帶卷 (TR)
配用： AC164324-ND - MODULE SKT FOR MPLAB 8DFN/16QFN
XLT08DFN2-ND - SOCKET TRANSITION ICE 14DIP/8DFN
AC162058-ND - HEADER MPLAB ICD2 FOR PIC12F683
I3-DB12F683-ND - BOARD DAUGHTER ICEPIC3
XLT08DFN-ND - SOCKET TRANSITION ICE 8DFN
AC164032-ND - ADAPTER PICSTART PLUS 8DFN/DIP
AC124001-ND - MODULE SKT PROMATEII 8DIP/SOIC
PIC12F683
DS41211D-page 120
2007 Microchip Technology Inc.
15.4
DC Characteristics:
PIC12F683-E (Extended)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
VDD
Note
D020E
Power-down Base
Current (IPD)(2)
—0.05
9
μA
2.0
WDT, BOR, Comparators, VREF and
T1OSC disabled
—0.15
11
μA3.0
—0.35
15
μA5.0
D021E
—
1
17.5
μA
2.0
WDT Current(1)
—2
19
μA3.0
—3
22
μA5.0
D022E
—
42
65
μA
3.0
BOR Current(1)
—85
127
μA5.0
D023E
—
32
45
μA
2.0
Comparator Current(1), both
comparators enabled
—60
78
μA3.0
—120
160
μA5.0
D024E
—
30
70
μA2.0
CVREF Current(1) (high range)
—45
90
μA3.0
—75
120
μA5.0
D025E*
—
39
91
μA2.0
CVREF Current(1) (low range)
—59
117
μA3.0
—98
156
μA5.0
D026E
—
4.5
25
μA
2.0
T1OSC Current(1), 32.768 kHz
—5
30
μA3.0
—6
40
μA5.0
D027E
—
0.30
12
μA
3.0
A/D Current(1), no conversion in
progress
—0.36
16
μA5.0
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
The peripheral current is the sum of the base IDD or IPD and the additional current consumed when this
peripheral is enabled. The peripheral
Δ current can be determined by subtracting the base IDD or IPD
current from this limit. Max values should be used when calculating total current consumption.
2:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in Sleep mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to VDD.
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PDF描述
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