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參數(shù)資料
| 型號： | PIC12LCE519T-04I/SN |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 91/113頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 1KX12 LV W/EE 8SOIC |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | Asynchronous Stimulus |
| 標準包裝： | 3,300 |
| 系列： | PIC® 12C |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外圍設備： | POR，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 5 |
| 程序存儲器容量： | 1.5KB（1K x 12） |
| 程序存儲器類型： | OTP |
| EEPROM 大?。?/td> | 16 x 8 |
| RAM 容量： | 41 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | PIC12LCE519T04ISN |
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1999 Microchip Technology Inc.
DS40139E-page 79
PIC12C5XX
13.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - PIC12C508A/PIC12C509A/
PIC12LC508A/PIC12LC509A/PIC12CR509A/PIC12CE518/PIC12CE519/
PIC12LCE518/PIC12LCE519/PIC12LCR509A
Absolute Maximum Ratings
Ambient Temperature under bias ........................................................................................................... –40°C to +125°C
Storage Temperature ............................................................................................................................. –65°C to +150°C
Voltage on VDD with respect to VSS .................................................................................................................0 to +7.0 V
Voltage on MCLR with respect to VSS...............................................................................................................0 to +14 V
Voltage on all other pins with respect to VSS ............................................................................... –0.3 V to (VDD + 0.3 V)
Total Power Dissipation(1) .................................................................................................................................... 700 mW
Max. Current out of VSS pin .................................................................................................................................. 200 mA
Max. Current into VDD pin ..................................................................................................................................... 150 mA
Input Clamp Current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
.................................................................................................................... ±20 mA
Output Clamp Current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
............................................................................................................. ±20 mA
Max. Output Current sunk by any I/O pin ................................................................................................................ 25 mA
Max. Output Current sourced by any I/O pin........................................................................................................... 25 mA
Max. Output Current sourced by I/O port (GPIO) ................................................................................................. 100 mA
Max. Output Current sunk by I/O port (GPIO )...................................................................................................... 100 mA
Note 1: Power Dissipation is calculated as follows: PDIS = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOL x IOL)
NOTICE: Stresses above those listed under "Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
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