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參數(shù)資料
| 型號： | PIC16C716-20I/SO |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 80/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 2KX14 A/D PWM 18SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 標準包裝： | 42 |
| 系列： | PIC® 16C |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 13 |
| 程序存儲器容量： | 3.5KB（2K x 14） |
| 程序存儲器類型： | OTP |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 4x8b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
| 配用： | XLT18SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 18SOIC 300MIL ISPICR1-ND - ADAPTER IN-CIRCUIT PROGRAMMING 309-1011-ND - ADAPTER 18-SOIC TO 18-DIP 309-1010-ND - ADAPTER 18-SOIC TO 18-DIP AC164010-ND - MODULE SKT PROMATEII DIP/SOIC |
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2005 Microchip Technology Inc.
DS41106B-page 73
PIC16C712/716
12.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings ()
Ambient temperature under bias............................................................................................................ .-55°C to +125°C
Storage temperature .............................................................................................................................. -65°C to +150°C
Voltage on any pin with respect to VSS (except VDD, MCLR, and RA4) ......................................... -0.3V to (VDD + 0.3V)
Voltage on VDD with respect to VSS ......................................................................................................... -0.3V to +7.5V
Voltage on MCLR with respect to VSS (Note 2) ......................................................................................... 0V to +13.25V
Voltage on RA4 with respect to Vss ............................................................................................................... 0V to +8.5V
Total power dissipation (Note 1) (PDIP and SOIC) ................................................................................................... 1.0W
Total power dissipation (Note 1) (SSOP) ................................................................................................................0.65W
Maximum current out of VSS pin ........................................................................................................................... 300 mA
Maximum current into VDD pin .............................................................................................................................. 250 mA
Input clamp current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
...................................................................................................................... ±20 mA
Output clamp current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
.............................................................................................................. ±20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin..........................................................................................................25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .................................................................................................... 25 mA
Maximum current sunk by PORTA and PORTB (combined)................................................................................. 200 mA
Maximum current sourced by PORTA and PORTB (combined) ........................................................................... 200 mA
Note 1: Power dissipation is calculated as follows: Pdis = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL)
2: Voltage spikes below VSS at the MCLR/VPP pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latch-up.
Thus, a series resistor of 50-100
Ω should be used when applying a “l(fā)ow” level to the MCLR/VPP pin rather
than pulling this pin directly to VSS.
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
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PDF描述 |
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