參數(shù)資料
型號： PIC16F648A-I/ML
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 48/180頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU FLASH 4KX14 EEPROM 28QFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 61
系列： PIC® 16F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 20MHz
連通性： UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 16
程序存儲器容量： 7KB（4K x 14）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-VQFN 裸露焊盤
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 639 (CN2011-ZH PDF)
配用： AC164324-ND - MODULE SKT FOR MPLAB 8DFN/16QFN
XLT28QFN3-ND - SOCKET TRAN ICE 18DIP/28QFN
I3DBF648-ND - BOARD DAUGHTER ICEPIC3
AC164033-ND - ADAPTER 28QFN TO 18DIP
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當(dāng)前第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁
2009 Microchip Technology Inc.
DS40044G-page 141
PIC16F627A/628A/648A
TABLE 17-1:
DC Characteristics: PIC16F627A/628A/648A (Industrial, Extended)
PIC16LF627A/628A/648A (Industrial)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial and
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Operating voltage VDD range as described in DC specification
Parameter
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Data EEPROM Memory
D120
D120A
D121
D122
D123
D124
ED
VDRW
TDEW
TRETD
TREF
Endurance
VDD for read/write
Erase/Write cycle time
Characteristic Retention
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(1)
100K
10K
VMIN
—
40
1M
100K
—
4
—
10M
—
5.5
8*
—
E/W
V
ms
Year
E/W
-40
°C ≤ TA ≤ 85°C
85°C
≤ TA ≤ 125°C
VMIN = Minimum operating
voltage
Provided no other
specifications are violated
-40
°C to +85°C
Program Flash Memory
D130
D130A
D131
D132
D132A
D133
D133A
D134
EP
VPR
VIE
VPEW
TIE
TPEW
TRETP
Endurance
VDD for read
VDD for Block erase
VDD for write
Block Erase cycle time
Write cycle time
Characteristic Retention
10K
1000
VMIN
4.5
VMIN
—
40
100K
10K
—
4
2
—
5.5
8*
4*
—
E/W
V
ms
year
-40
°C ≤ TA ≤ 85°C
85°C
≤ TA ≤ 125°C
VMIN = Minimum operating
voltage
VMIN = Minimum operating
voltage
VDD > 4.5V
Provided no other
specifications are violated
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25
°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
Refer to Section 13.7 “Using the Data EEPROM” for a more detailed discussion on data EEPROM
endurance.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PIC16F648AT-E/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 256 RAM 16 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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