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參數資料
| 型號： | PIC16F876-20/SO |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數： | 161/218頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU FLASH 8KX14 EE 28SOIC |
| 產品培訓模塊： | Asynchronous Stimulus 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 標準包裝： | 27 |
| 系列： | PIC® 16F |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數： | 22 |
| 程序存儲器容量： | 14KB（8K x 14） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 368 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 5.5 V |
| 數據轉換器： | A/D 5x10b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
| 配用： | XLT28SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 28SOIC 300MIL 309-1073-ND - ADAPTER 28-SOIC TO 28-SOIC 309-1024-ND - ADAPTER 28-SOIC TO 28-DIP 309-1023-ND - ADAPTER 28-SOIC TO 28-DIP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁當前第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁
2001 Microchip Technology Inc.
DS30292C-page 45
PIC16F87X
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared and the EEIF interrupt flag bit is set. (EEIF
must be cleared by firmware.) Since the microcontroller
does not execute instructions during the write cycle, the
firmware does not necessarily have to check either
EEIF, or WR, to determine if the write had finished.
EXAMPLE 4-4:
FLASH PROGRAM WRITE
4.6
Write Verify
The PIC16F87X devices do not automatically verify the
value written during a write operation. Depending on
the application, good programming practice may dic-
tate that the value written to memory be verified against
the original value. This should be used in applications
where excessive writes can stress bits near the speci-
fied endurance limits.
4.7
Protection Against Spurious
Writes
There are conditions when the device may not want to
write to the EEPROM data memory or FLASH program
memory. To protect against these spurious write condi-
tions, various mechanisms have been built into the
PIC16F87X devices. On power-up, the WREN bit is
cleared and the Power-up Timer (if enabled) prevents
writes.
The write initiate sequence, and the WREN bit
together, help prevent any accidental writes during
brown-out, power glitches, or firmware malfunction.
4.8
Operation While Code Protected
The PIC16F87X devices have two code protect mecha-
nisms, one bit for EEPROM data memory and two bits for
FLASH program memory. Data can be read and written
to the EEPROM data memory, regardless of the state of
the code protection bit, CPD. When code protection is
enabled and CPD cleared, external access via ICSP is
disabled, regardless of the state of the program memory
code protect bits. This prevents the contents of EEPROM
data memory from being read out of the device.
The state of the program memory code protect bits,
CP0 and CP1, do not affect the execution of instruc-
tions out of program memory. The PIC16F87X devices
can always read the values in program memory,
regardless of the state of the code protect bits. How-
ever, the state of the code protect bits and the WRT bit
will have different effects on writing to program mem-
ory. Table 4-1 shows the effect of the code protect bits
and the WRT bit on program memory.
Once code protection has been enabled for either
EEPROM data memory or FLASH program memory,
only a full erase of the entire device will disable code
protection.
BSF
STATUS, RP1
;
BCF
STATUS, RP0
;Bank 2
MOVF
ADDRL, W
;Write address
MOVWF
EEADR
;of desired
MOVF
ADDRH, W
;program memory
MOVWF
EEADRH
;location
MOVF
VALUEL, W
;Write value to
MOVWF
EEDATA
;program at
MOVF
VALUEH, W
;desired memory
MOVWF
EEDATH
;location
BSF
STATUS, RP0
;Bank 3
BSF
EECON1, EEPGD ;Point to Program memory
BSF
EECON1, WREN
;Enable writes
;Only disable interrupts
BCF
INTCON, GIE
;if already enabled,
;otherwise discard
MOVLW
0x55
;Write 55h to
MOVWF
EECON2
;EECON2
MOVLW
0xAA
;Write AAh to
MOVWF
EECON2
;EECON2
BSF
EECON1, WR
;Start write operation
NOP
;Two NOPs to allow micro
NOP
;to setup for write
;Only enable interrupts
BSF
INTCON, GIE
;if using interrupts,
;otherwise discard
BCF
EECON1, WREN
;Disable writes
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