Charge-pump for generating suitable gate" />
參數(shù)資料
型號： PIC16LF1936T-I/MV
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 42/196頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28UQFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
系列： PIC® XLP™ 16F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 32MHz
連通性： I²C，LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲器容量： 14KB（8K x 14）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 512 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 11x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-UFQFN 裸露焊盤
包裝： 帶卷 (TR)
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136
8024A–AVR–04/08
ATmega8HVA/16HVA
24.2
FET Driver
24.2.1
Features
Charge-pump for generating suitable gate drive for N-Channel FET switch on high side
Deep Under-voltage Recovery mode that allows normal operation while charging a Deeply Over-
discharged battery from 0-volt
24.2.2
Overview
The ATmega8HVA/16HVA includes a FET Driver. The FET Driver is designed for driving N-
channel FETs used as high side switch in 1- or 2-Cell Li-Ion battery pack. A block diagram of the
FET driver is shown in Figure 24-2 on page 136.
When charging deeply over-discharged cells, the FET Driver will be operated in Deep Under-
Voltage Recovery (DUVR) mode. In DUVR mode the FET Driver regulates the voltage at the
VFET pin to typically 2.0 Volts in 1-Cell applications and typically 4.0 Volts in 2-Cell applications.
This is done by operating the Charge FET at a point where the drain-source voltage is equal to
the voltage difference between the cell voltage and the required VFET operating voltage. As the
cell voltage increases, the drain-source voltage of the Charge FET will decrease until the
Charge FET is completely on. See Table 29-5 on page 170 for details.
In normal operation (DUVRD = 1), the Charge FET/Discharge FET is switched on by pumping
OC/OD sufficiently above the VFET supply voltage. To turn off the Charge FET/Discharge FET,
OC/OD is pulled quickly low. See Figure 24-3 on page 137 and Table 29-5 on page 170 for
details.
Figure 24-2. FET Driver block diagram.
Discharge FET
Charge FET
OD
OC
BATT+
BATT-
VFET
NFET DRIVER
DUVRD
D-FET
Charge
Pump
CHARGE_EN
DISCHARGE_EN
FET
CONTROL
C-FET
Charge
Pump
DUALC_MODE
LDO
_VREG
DVDD
VREF
BANDGAP
REF.
CLK
CLK_OSC
1k
14V clamp
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PDF描述
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PIC16LF1937-E/MV 功能描述:8位微控制器 -MCU 14KB Flash EEPROM 256b nanoWatt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC16LF1937-E/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 14KB Flash, 512B RAM 256B EE LCD 1.8-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC16LF1937-E/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 14KB Flash, 512B RAM 256B EE LCD 1.8-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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