參數(shù)資料
型號： PIC18F14K50-I/SS
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 247/285頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 8KX16 20-SSOP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： XLP Deep Sleep Mode
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
視頻文件： World's Lowest Power in Sleep MCU: nanoWatt XLP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 67
系列： PIC® XLP™ 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 48MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 14
程序存儲器容量： 16KB（8K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 768 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 11x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 656 (CN2011-ZH PDF)
配用： AC244023-ND - PROC EXTENS PAK PIC18F1XK50
DV164126-ND - KIT DEVELOPMENT USB W/PICKIT 2
DM164127-ND - KIT DEVELOPMENT USB 18F14/13K50
AC164112-ND - VOLTAGE LIMITER MPLAB ICD2 VPP
XLT20SS-1-ND - SOCKET TRANSITION 18DIP 20SSOP
AC164307-ND - MODULE SKT FOR PM3 28SSOP
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PIC18F/LF1XK50
DS41350E-page 64
Preliminary
2010 Microchip Technology Inc.
5.6
Operation During Code-Protect
Data EEPROM memory has its own code-protect bits in
Configuration
Words.
External
read
and
write
operations are disabled if code protection is enabled.
The microcontroller itself can both read and write to the
internal data EEPROM, regardless of the state of the
code-protect Configuration bit. Refer to Section 24.0
information.
5.7
Protection Against Spurious Write
There are conditions when the user may not want to
write to the data EEPROM memory. To protect against
spurious EEPROM writes, various mechanisms have
been implemented. On power-up, the WREN bit is
cleared. In addition, writes to the EEPROM are blocked
during
the
Power-up
Timer
period
(TPWRT,
parameter 33).
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during brown-out,
power glitch or software malfunction.
5.8
Using the Data EEPROM
The
data
EEPROM
is
a
high-endurance,
byte
addressable array that has been optimized for the
storage of frequently changing information (e.g.,
program variables or other data that are updated often).
When variables in one section change frequently, while
variables in another section do not change, it is possible
to exceed the total number of write cycles to the
EEPROM without exceeding the total number of write
cycles to a single byte. If this is the case, then an array
refresh must be performed. For this reason, variables
that change infrequently (such as constants, IDs,
calibration, etc.) should be stored in Flash program
memory.
EXAMPLE 5-3:
DATA EEPROM REFRESH ROUTINE
TABLE 5-1:
REGISTERS ASSOCIATED WITH DATA EEPROM MEMORY
Name
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Reset
Values
on page
INTCON
GIE/GIEH
PEIE/GIEL
TMR0IE
INT0IE
RABIE
TMR0IF
INT0IF
RABIF
EEADR
EEADR7
EEADR6
EEADR5
EEADR4
EEADR3
EEADR2
EEADR1
EEADR0
EEDATA
EEPROM Data Register
EECON2
EEPROM Control Register 2 (not a physical register)
EECON1
EEPGD
CFGS
—
FREE
WRERR
WREN
WR
RD
IPR2
OSCFIP
C1IP
C2IP
EEIP
BCLIP
USBIP
TMR3IP
PIR2
OSCFIF
C1IF
C2IF
EEIF
BCLIF
USBIF
TMR3IF
PIE2
OSCFIE
C1IE
C2IE
EEIE
BCLIE
USBIE
TMR3IE
Legend: — = unimplemented, read as ‘0’. Shaded cells are not used during Flash/EEPROM access.
CLRF
EEADR
; Start at address 0
BCF
EECON1, CFGS
; Set for memory
BCF
EECON1, EEPGD
; Set for Data EEPROM
BCF
INTCON, GIE
; Disable interrupts
BSF
EECON1, WREN
; Enable writes
Loop
; Loop to refresh array
BSF
EECON1, RD
; Read current address
MOVLW
55h
;
MOVWF
EECON2
; Write 55h
MOVLW
0AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write 0AAh
BSF
EECON1, WR
; Set WR bit to begin write
BTFSC
EECON1, WR
; Wait for write to complete
BRA
$-2
INCFSZ
EEADR, F
; Increment address
BRA
LOOP
; Not zero, do it again
BCF
EECON1, WREN
; Disable writes
BSF
INTCON, GIE
; Enable interrupts
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