參數(shù)資料
型號(hào)： PIC18F26K20-I/SS
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 32/42頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 32KX16 28-SSOP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： XLP Deep Sleep Mode
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 47
系列： PIC® XLP™ 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 64MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，HLVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 24
程序存儲(chǔ)器容量： 64KB（32K x 16）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 1K x 8
RAM 容量： 3.8K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 11x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 657 (CN2011-ZH PDF)
配用： AC164112-ND - VOLTAGE LIMITER MPLAB ICD2 VPP
AC164307-ND - MODULE SKT FOR PM3 28SSOP
PIC18F2XK20/4XK20
DS41297F-page 38
Advance Information
2009 Microchip Technology Inc.
6.0
AC/DC CHARACTERISTICS TIMING REQUIREMENTS FOR PROGRAM/
VERIFY TEST MODE
Standard Operating Conditions
Operating Temperature: 25
°C is recommended
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Max.
Units
Conditions
D110
VIHH
High-Voltage Programming Voltage on
MCLR/VPP/RE3
VDD + 4.5
9
V
D110A VIHL
Low-Voltage Programming Voltage on
MCLR/VPP/RE3
1.80
3.60
V
D111
VDD
Supply Voltage During Programming
1.80
3.60
V
Row Erase/Write
2.7
3.60
V
Bulk Erase operations
D112
IPP
Programming Current on MCLR/VPP/RE3
—
300
μA
D113
IDDP
Supply Current During Programming
—
10
mA
D031
VIL
Input Low Voltage
VSS
0.2 VDD
V
D041
VIH
Input High Voltage
0.8 VDD
VDD
V
D080
VOL
Output Low Voltage
—
0.6
V
IOL = X.X mA @ 2.7V
D090
VOH
Output High Voltage
VDD – 0.7
—
V
IOH = -Y.Y mA @ 2.7V
D012
CIO
Capacitive Loading on I/O pin (PGD)
—
50
pF
To meet AC specifications
P1
TR
MCLR/VPP/RE3 Rise Time to enter
Program/Verify mode
—1.0
μs
(Note 1)
P2
TPGC
Serial Clock (PGC) Period
100
—
ns
VDD = 3.6V
1
—
μs
VDD = 1.8V
P2A
TPGCL
Serial Clock (PGC) Low Time
40
—
ns
VDD = 3.6V
400
—
ns
VDD = 1.8V
P2B
TPGCH
Serial Clock (PGC) High Time
40
—
ns
VDD = 3.6V
400
—
ns
VDD = 1.8V
P3
TSET1
Input Data Setup Time to Serial Clock
↓
15
—
ns
P4
THLD1
Input Data Hold Time from PGC
↓
15
—
ns
P5
TDLY1
Delay between 4-bit Command and Command
Operand
40
—
ns
P5A
TDLY1A Delay between 4-bit Command Operand and next
4-bit Command
40
—
ns
P6
TDLY2
Delay between Last PGC
↓ of Command Byte to
First PGC
↑ of Read of Data Word
20
—
ns
P9
TDLY5
PGC High Time (minimum programming time)
1
—
ms
Externally Timed
P9A
TDLY5A PGC High Time
5
ms
Configuration Word
programming time
P10
TDLY6
PGC Low Time after Programming
(high-voltage discharge time)
200
—
μs
P11
TDLY7
Delay to allow Self-Timed Data Write or
Bulk Erase to occur
5—
ms
P11A
TDRWT
Data Write Polling Time
4
—
ms
Note 1:
Do not allow excess time when transitioning MCLR between VIL and VIHH; this can cause spurious program
executions to occur. The maximum transition time is:
1 TCY + TPWRT (if enabled) + 1024 TOSC (for LP, HS, HS/PLL and XT modes only) + 2 ms (for HS/PLL mode only)
+ 1.5
μs (for EC mode only) where TCY is the instruction cycle time, TPWRT is the Power-up Timer period and
TOSC is the oscillator period. For specific values, refer to the Electrical Characteristics section of the device data
sheet for the particular device.
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PDF描述
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