參數資料
型號： PIC18F65K22-I/PTRSL
廠商： Microchip Technology
文件頁數： 37/61頁
文件大小： 0K
描述： MCU PIC 32K FLASH MEM XLP 64TQFP
產品培訓模塊： 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標準包裝： 160
系列： PIC® XLP™ 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 64MHz
連通性： I²C，LIN，SPI，UART/USART
外圍設備： 欠壓檢測/復位，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數： 53
程序存儲器容量： 32KB（16K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 1K x 8
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
數據轉換器： A/D 16x12b
振蕩器型： 內部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-TQFP
包裝： 托盤
P89V52X2_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 4 May 2009
42 of 57
NXP Semiconductors
P89V52X2
80C51 with 256 B RAM, 192 B data EEPROM
7.
Limiting values
8.
Static characteristics
Table 43.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Parameters are valid over operating temperature range unless otherwise specied. All voltages are with respect to VSS unless
otherwise noted.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Tamb(bias)
bias ambient temperature
55
+125
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Vn
voltage on any other pin
except VSS, with respect to
VDD
0.5
VDD + 0.5
V
IOL(I/O)
LOW-level output current per
input/output pin
-15
mA
Ptot(pack)
total power dissipation (per package)
based on package heat
transfer, not device power
consumption
-
1.5
W
Table 44.
Static characteristics
Tamb = 40 °C to +85 °C; VDD = 2.7 V to 5.5 V; VSS =0V
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
nendu()
endurance of ash
memory
JEDEC Standard A117
[1] 10000
-
cycles
tret()
ash memory
retention time
JEDEC Standard A103
[1] 100
-
years
Ilatch
I/O latch-up current JEDEC Standard 78
[1] 100 + IDD
-mA
VIL
LOW-level input
voltage
0.5
-
0.3VDD
V
VIH
HIGH-level input
voltage
0.7VDD
-
6.0
V
VOL
LOW-level output
voltage
VDD = 4.5 V
-
IOL = 3.2 mA
-
0.4
V
VOH
HIGH-level output
voltage
VDD = 2.7 V, ports 1, 2, 3
-
IOH = 20 AVDD 0.7
-
V
VDD = 4.5 V, ports 1, 2, 3
-
IOH = 30 AVDD 0.7
-
V
VDD = 4.5 V, Port 0 in External
Bus mode, ALE, PSEN
-
IOH = 3.2 mA
VDD 0.7
-
V
IIL
LOW-level input
current
VI = 0.4 V, ports 1, 2, 3
1-
50
A
ITHL
HIGH-LOW
transition current
VI = 2 V, ports 1, 2, 3
650
A
ILI
input leakage
current
0.45 V < VI <VDD 0.3 V, port
0
--
±10
A
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