參數(shù)資料
型號： PIC18LF2439-I/SO
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 189/322頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU FLASH 6KX16 EE A/D 28SOIC
標準包裝： 27
系列： PIC® 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART
外圍設備： 欠壓檢測/復位，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 21
程序存儲器容量： 12KB（6K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 640 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 5x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 管件
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2002 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS30485A-page 267
PIC18FXX39
TABLE 23-2:
MEMORY PROGRAMMING REQUIREMENTS
DC Characteristics
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Internal Program Memory
Programming Specifications
D110
VPP
Voltage on MCLR/VPP pin
9.00
—
13.25
V
D113
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
Data EEPROM Memory
D120
ED
Cell Endurance
100K
1M
—
E/W -40
°C to +85°C
D121
VDRW VDD for Read/Write
VMIN
—
5.5
V
Using EECON to read/write
VMIN = Minimum operating
voltage
D122
TDEW Erase/Write Cycle Time
—
4
—
ms
D123
TRETD Characteristic Retention
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D123A TRETD Characteristic Retention
100
—
Year 25
°C (Note 1)
D124
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
1M
10M
—
E/W -40°C to +85°C
Program FLASH Memory
D130
EP
Cell Endurance
10K
100K
—
E/W -40
°C to +85°C
D131
VPR
VDD for Read
VMIN
—
5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D132
VIE
VDD for Block Erase
4.5
—
5.5
V
Using ICSP port
D132A VIW
VDD for Externally Timed Erase
or Write
4.5
—
5.5
V
Using ICSP port
D132B VPEW VDD for Self-timed Write
VMIN
—
5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D133
TIE
ICSP Block Erase Cycle Time
—
4
—
ms VDD
≥ 4.5V
D133A TIW
ICSP Erase or Write Cycle Time
(externally timed)
1
——
ms VDD
≥ 4.5V
D133A TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
—
ms
D134
TRETD Characteristic Retention
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D134A TRETD Characteristic Retention
100
—
Year 25
°C (Note 1)
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1: Retention time is valid, provided no other specifications are violated.
2: Refer to Section 6.8 for a more detailed discussion on data EEPROM endurance.
相關PDF資料
PDF描述
PIC18F4539-I/ML IC MCU FLASH 12KX16 EE A/D 44QFN
PIC18F4439-I/ML IC MCU FLASH 6KX16 EE A/D 44QFN
PIC18F2439-I/SO IC MCU FLASH 6KX16 EE A/D 28SOIC
PIC16F687-I/SO IC PIC MCU FLASH 2KX14 20SOIC
PIC16F877AT-I/PTG IC MCU FLASH 8KX14 W/AD 44 TQFP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PIC18LF2439T-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 12KB 640 RAM 21I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18LF2450-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 23 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18LF2450-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 23 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18LF2450-I/SP 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 23 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18LF2450T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 768 RAM 23 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
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