參數(shù)資料
型號(hào)： PIC18LF2455-I/SO
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 315/438頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 12KX16 28SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 27
系列： PIC® 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 48MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，HLVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 24
程序存儲(chǔ)器容量： 24KB（12K x 16）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 646 (CN2011-ZH PDF)
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2011-2012 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41575B-page 379
PIC16(L)F1933
30.5
Memory Programming Requirements
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
TA +125°C
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Typ
Max.
Units
Conditions
Program Memory
Programming Specifications
D110
VIHH
Voltage on MCLR/VPP/RE3 pin
8.0
—
9.0
V
(Note 3, Note 4)
D111
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
D112
VDD for Bulk Erase
2.7
—
VDDMAX
V
D113
VPEW
VDD for Write or Row Erase
VDDMIN
—VDDMAX
V
D114
IPPPGM Current on MCLR/VPP during
Erase/Write
——
1.0
mA
D115
IDDPGM Current on VDD during Erase/
Write
——
5.0
mA
Data EEPROM Memory
D116
ED
Byte Endurance
100K
—
E/W
-40
C to +85C
D117
VDRW
VDD for Read/Write
VDDMIN
—VDDMAX
V
D118
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
4.0
5.0
ms
D119
TRETD
Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D120
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
1M
10M
—
E/W
-40°C to +85°C
Program Flash Memory
D121
EP
Cell Endurance
10K
—
E/W
-40
C to +85C (Note 1)
D122
VPRW
VDD for Read/Write
VDDMIN
—VDDMAX
V
D123
TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
2.5
ms
D124
TRETD
Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
Self-write and Block Erase.
2:
Refer to Section 11.2 “Using the Data EEPROM” for a more detailed discussion on data EEPROM
endurance.
3:
Required only if single-supply programming is disabled.
4:
The MPLAB ICD 2 does not support variable VPP output. Circuitry to limit the ICD 2 VPP voltage must be
placed between the ICD 2 and target system when programming or debugging with the ICD 2.
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PDF描述
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PIC18LF2458-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 24KB Flash 2KB RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2458-I/SP 功能描述:8位微控制器 -MCU 24KB Flash 2KB RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2458T-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 24KB Flash 2KB RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2480-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 16 KB 768 RAM 25 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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