參數(shù)資料
型號(hào)： PIC18LF2520-I/ML
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 108/151頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 16KX16 28QFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 61
系列： PIC® 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，HLVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲(chǔ)器容量： 32KB（16K x 16）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 1.5K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-VQFN 裸露焊盤
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 643 (CN2011-ZH PDF)
2011-2012 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41579C-page 375
PIC16(L)F1782/3
30.5
Memory Programming Requirements
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
TA +125°C
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Typ
Max.
Units
Conditions
Program Memory
Programming Specifications
D110
VIHH
Voltage on MCLR/VPP/RE3 pin
8.0
—
9.0
V
(Note 3)
D111
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
D112
VDD for Bulk Erase
2.7
—
VDDMAX
V
D113
VPEW
VDD for Write or Row Erase
VDDMIN
—VDDMAX
V
D114
IPPPGM Current on MCLR/VPP during
Erase/Write
——
1.0
mA
D115
IDDPGM Current on VDD during Erase/Write
—
5.0
mA
Data EEPROM Memory
D116
ED
Byte Endurance
100K
—
—E/W
-40
C to +85C
D117
VDRW
VDD for Read/Write
VDDMIN
—VDDMAX
V
D118
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
4.0
5.0
ms
D119
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D120
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
100k
—
E/W
-40°C to +85°C
Program Flash Memory
D121
EP
Cell Endurance
10K
—
—E/W
-40
C to +85C (Note 1)
D122
VPR
VDD for Read
VDDMIN
—VDDMAX
V
D123
TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
2.5
ms
D124
TRETD Characteristic Retention
—
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
Self-write and Block Erase.
2:
Refer to Section 12.2 “Using the Data EEPROM” for a more detailed discussion on data EEPROM
endurance.
3:
Required only if single-supply programming is disabled.
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PDF描述
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參數(shù)描述
PIC18LF2520T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 25I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2520T-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 25I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2523-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536bytes-RAM 25I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2523-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536bytes-RAM 25I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF2523-I/SO 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:8-BIT MICROCONTROLLER IC
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