參數(shù)資料
型號： PIC24FJ64GA106-I/MR
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 291/330頁
文件大小： 0K
描述： MCU PIC 64KB FLASH 64QFN
特色產(chǎn)品： PIC24FJ/33FJ MCUs & dsPIC? DSCs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 40
系列： PIC® 24F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 16-位
速度： 32MHz
連通性： I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 53
程序存儲器容量： 64KB（22K x 24）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-VFQFN 裸露焊盤
包裝： 管件
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2010 Microchip Technology Inc.
DS39905E-page 63
PIC24FJ256GA110 FAMILY
5.6.2
PROGRAMMING A SINGLE WORD
OF FLASH PROGRAM MEMORY
If a Flash location has been erased, it can be pro-
grammed using table write instructions to write an
instruction word (24-bit) into the write latch. The
TBLPAG register is loaded with the 8 Most Significant
Bytes of the Flash address. The TBLWTL and TBLWTH
instructions write the desired data into the write latches
and specify the lower 16 bits of the program memory
address to write to. To configure the NVMCON register
for a word write, set the NVMOP bits (NVMCON<3:0>)
to ‘0011’. The write is performed by executing the
unlock sequence and setting the WR bit, as shown in
Example 5-7. An equivalent procedure in C, using the
MPLAB C30 compiler and built-in hardware functions,
is shown in Example 5-8.
EXAMPLE 5-7:
PROGRAMMING A SINGLE WORD OF FLASH PROGRAM MEMORY
(ASSEMBLY LANGUAGE CODE)
EXAMPLE 5-8:
PROGRAMMING A SINGLE WORD OF FLASH PROGRAM MEMORY
(C LANGUAGE CODE)
; Setup a pointer to data Program Memory
MOV
#tblpage(PROG_ADDR), W0
;
MOV
W0, TBLPAG
;Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#tbloffset(PROG_ADDR), W0
;Initialize a register with program memory address
MOV
#LOW_WORD, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE, W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
; Setup NVMCON for programming one word to data Program Memory
MOV
#0x4003, W0
;
MOV
W0, NVMCON
; Set NVMOP bits to 0011
DISI
#5
; Disable interrupts while the KEY sequence is written
MOV
#0x55, W0
; Write the key sequence
MOV
W0, NVMKEY
MOV
#0xAA, W0
MOV
W0, NVMKEY
BSET
NVMCON, #WR
; Start the write cycle
NOP
; Insert two NOPs after the erase
NOP
; Command is asserted
// C example using MPLAB C30
unsigned int offset;
unsigned long progAddr = 0xXXXXXX;
// Address of word to program
unsigned int progDataL = 0xXXXX;
// Data to program lower word
unsigned char progDataH = 0xXX;
// Data to program upper byte
//Set up NVMCON for word programming
NVMCON = 0x4003;
// Initialize NVMCON
//Set up pointer to the first memory location to be written
TBLPAG = progAddr>>16;
// Initialize PM Page Boundary SFR
offset = progAddr & 0xFFFF;
// Initialize lower word of address
//Perform TBLWT instructions to write latches
__builtin_tblwtl(offset, progDataL);
// Write to address low word
__builtin_tblwth(offset, progDataH);
// Write to upper byte
asm(“DISI #5”);
// Block interrupts with priority < 7
// for next 5 instructions
__builtin_write_NVM();
// C30 function to perform unlock
// sequence and set WR
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