參數(shù)資料
型號(hào)： PIC24FV32KA304-I/MV
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 315/352頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 32KB FLASH 2KB RAM 48-UQFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 61
系列： PIC® XLP™ 24F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 16-位
速度： 32MHz
連通性： I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，HLVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 38
程序存儲(chǔ)器容量： 32KB（11K x 24）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 512 x 8
RAM 容量： 2K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 48-UFQFN 裸露焊盤(pán)
包裝： 管件
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2011-2012 Microchip Technology Inc.
DS39995C-page 65
PIC24FV32KA304 FAMILY
6.3
NVM Address Register
As with Flash program memory, the NVM Address
Registers, NVMADRU and NVMADR, form the 24-bit
Effective Address (EA) of the selected row or word for
data EEPROM operations. The NVMADRU register is
used to hold the upper 8 bits of the EA, while the
NVMADR register is used to hold the lower 16 bits of
the EA. These registers are not mapped into the
Special Function Register (SFR) space; instead, they
directly capture the EA<23:0> of the last table write
instruction that has been executed and selects the data
EEPROM row to erase. Figure 6-1 depicts the program
memory EA that is formed for programming and erase
operations.
Like program memory operations, the Least Significant
bit (LSb) of NVMADR is restricted to even addresses.
This is because any given address in the data EEPROM
space consists of only the lower word of the program
memory width; the upper word, including the uppermost
“phantom byte”, are unavailable. This means that the
LSb of a data EEPROM address will always be ‘0’.
Similarly, the Most Significant bit (MSb) of NVMADRU
is always ‘0’, since all addresses lie in the user program
space.
FIGURE 6-1:
DATA EEPROM
ADDRESSING WITH
TBLPAG AND NVM
ADDRESS REGISTERS
6.4
Data EEPROM Operations
The EEPROM block is accessed using table read and
write operations similar to those used for program
memory. The TBLWTH and TBLRDH instructions are not
required for data EEPROM operations since the
memory is only 16 bits wide (data on the lower address
is valid only). The following programming operations
can be performed on the data EEPROM:
Erase one, four or eight words
Bulk erase the entire data EEPROM
Write one word
Read one word
The library procedures are used in the code examples
detailed in the following sections. General descriptions
of each process are provided for users who are not
using the C30 compiler libraries.
24-Bit PM Address
TBLPAG
NVMADR
W Register EA
7Fh
xxxxh
0
NVMADRU
Note 1:
Unexpected results will be obtained if the
user attempts to read the EEPROM while
a programming or erase operation is
underway.
2:
The C30 C compiler includes library
procedures to automatically perform the
table read and table write operations,
manage the Table Pointer and write
buffers, and unlock and initiate memory
write sequences. This eliminates the
need to create assembler macros or time
critical routines in C for each application.
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