參數(shù)資料
型號(hào)： PIC24HJ128GP510-I/PT
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 252/292頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 128KB 100TQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： PIC24 Introduction
Graphics LCD System and PIC24 Interface
Asynchronous Stimulus
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 119
系列： PIC® 24H
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 16-位
速度： 40 MIP
連通性： CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 85
程序存儲(chǔ)器容量： 128KB（43K x 24）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存
RAM 容量： 8K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 32x10b/12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
包裝： 托盤(pán)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 649 (CN2011-ZH PDF)
配用： 876-1004-ND - PIC24 BREAKOUT BOARD
AC164333-ND - MODULE SKT FOR PM3 100QFP
DM300024-ND - KIT DEMO DSPICDEM 1.1
MA240012-ND - MODULE PLUG-IN PIC24H 100QFP
DV164033-ND - KIT START EXPLORER 16 MPLAB ICD2
DM240001-ND - BOARD DEMO PIC24/DSPIC33/PIC32
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PIC24HJXXXGPX06/X08/X10
DS70175H-page 60
2009 Microchip Technology Inc.
5.4.1
PROGRAMMING ALGORITHM FOR
FLASH PROGRAM MEMORY
The user can program one row of program Flash
memory at a time. To do this, it is necessary to erase
the 8-row erase page that contains the desired row.
The general process is:
1.
Read
eight
rows
of
program
memory
(512 instructions) and store in data RAM.
2.
Update the program data in RAM with the
desired new data.
3.
Erase the page (see Example 5-1):
a) Set the NVMOP bits (NVMCON<3:0>) to
‘0010’ to configure for block erase. Set the
ERASE (NVMCON<6>) and WREN
(NVMCON<14>) bits.
b) Write the starting address of the page to be
erased into the TBLPAG and W registers.
c)
Perform a dummy table write operation
(TBLWTL) to any address within the page
that needs to be erased.
d) Write 0x55 to NVMKEY.
e) Write 0xAA to NVMKEY.
f)
Set the WR bit (NVMCON<15>). The erase
cycle begins and the CPU stalls for the dura-
tion of the erase cycle. When the erase is
done, the WR bit is cleared automatically.
4.
Write the first 64 instructions from data RAM into
the program memory buffers (see Example 5-2).
5.
Write the program block to Flash memory:
a) Set the NVMOP bits to ‘0001’ to configure
for row programming. Clear the ERASE bit
and set the WREN bit.
b) Write 0x55 to NVMKEY.
c)
Write 0xAA to NVMKEY.
d)
Set the WR bit. The programming cycle
begins and the CPU stalls for the duration of
the write cycle. When the write to Flash mem-
ory is done, the WR bit is cleared
automatically.
6.
Repeat steps 4 and 5, using the next available
64 instructions from the block in data RAM by
incrementing the value in TBLPAG, until all
512 instructions are written back to Flash memory.
For protection against accidental operations, the write
initiate sequence for NVMKEY must be used to allow
any erase or program operation to proceed. After the
programming command has been executed, the user
must wait for the programming time until programming
is complete. The two instructions following the start of
the programming sequence should be NOPs, as shown
EXAMPLE 5-1:
ERASING A PROGRAM MEMORY PAGE
; Set up NVMCON for block erase operation
MOV
#0x4042, W0
;
MOV
W0, NVMCON
; Initialize NVMCON
; Init pointer to row to be ERASED
MOV
#tblpage(PROG_ADDR), W0
;
MOV
W0, TBLPAG
; Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#tbloffset(PROG_ADDR), W0
; Initialize in-page EA<15:0> pointer
TBLWTL
W0, [W0]
; Set base address of erase block
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55, W0
MOV
W0, NVMKEY
; Write the 55 key
MOV
#0xAA, W1
;
MOV
W1, NVMKEY
; Write the AA key
BSET
NVMCON, #WR
; Start the erase sequence
NOP
; Insert two NOPs after the erase
NOP
; command is asserted
Note:
A program memory page erase operation
is set up by performing a dummy table
write (TBLWTL) operation to any address
within the page. This methodology is dif-
ferent from the page erase operation on
dsPIC30F/33F devices in which the erase
page was selected using a dedicated pair
of registers (NVMADRU and NVMADR).
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