型號(hào): | PM300DHA060 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 300A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 300?我(丙) |
文件頁(yè)數(shù): | 2/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 127K |
代理商: | PM300DHA060 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PM300HHA120 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
PM300CLA120 | MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
PM300CVA060 | FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
PM300CSE060 | FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
PM300DSA060 | FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PM300DSA060 | 功能描述:MOD IPM DUAL 600V 300A RoHS:否 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類(lèi)型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊 |
PM300DSA060_00 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
PM300DSA120 | 功能描述:MOD IPM DUAL 1200V 300A RoHS:否 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類(lèi)型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊 |
PM300DSA120_00 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
PM300DV1A120 | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:MOD IPM V1 DUAL 300A 1200V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT DUAL MODULE 1200V 300A 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-20C; Operating Temperature Max:100C; No. of Pins:3 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述:POWER IPM TRANSISTOR 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IPM TRANSISTOR |