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參數(shù)資料
| 型號： | PMATA56 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-323 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|的SOT - 323 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | PMATA56 |
1999 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistors
PMSTA55; PMSTA56
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
625
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
PMSTA55
PMSTA56
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
=
60 V
I
E
= 0; V
CB
=
80 V
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
1 V
I
C
=
100 mA; V
CE
=
1 V; note 1
I
C
=
100 mA; I
B
=
10 mA
I
C
=
100 mA; V
CE
=
1 V; note 1
I
C
=
100 mA; V
CE
=
1 V;
f = 100 MHz
100
100
50
100
100
500
250
1.2
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
BE
f
T
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
mV
mV
MHz
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