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參數(shù)資料
| 型號： | PMEGXX10BEA |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
| 中文描述： | 1安很低正向壓降MEGA肖特基勢壘整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | PMEGXX10BEA |
2004 Jun 14
6
Philips Semiconductors
Product specification
1 A very low V
F
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
30
VR (V)
10
5
0
20
25
15
IR
(
μ
A)
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
MHC677
(1)
(3)
(2)
Fig.7
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(pF)
0
5
10
20
VR (V)
100
0
40
20
80
60
15
MHC678
Fig.8
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
T
amb
= 25
°
C; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(mA)
10
3
0.6
VF (V)
0.4
0.2
0
4
10
2
10
1
10
1
MHC679
(1)
(2)
(3)
Fig.9
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
40
20
10
0
30
MHC680
5
10
4
10
3
10
2
10
1
VR (V)
(1)
(3)
(2)
Fig.10 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEGXX10BEV | 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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