參數(shù)資料
型號: PMEGXX10EH
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
中文描述: 1安很低正向壓降MEGA肖特基勢壘整流器
文件頁數(shù): 8/11頁
文件大?。?/td> 85K
代理商: PMEGXX10EH
2004 Jun 14
8
Philips Semiconductors
Product specification
1 A very low V
F
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
PACKAGE OUTLINES
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOD323
SC-76
SOD323
99-09-13
03-12-17
Note
1. The marking bar indicates the cathode
UNIT
A
mm
0.05
1.1
0.8
0.40
0.25
0.25
0.10
1.8
1.6
1.35
1.15
2.7
2.3
0.45
0.15
A
1
max
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic surface mounted package; 2 leads
0
1
(1)
2
1
2 mm
scale
b
p
c
D
E
H
D
Q
0.25
0.15
L
p
v
0.2
A
D
A
E
L
p
b
p
detail X
A
1
c
Q
H
D
v
A
M
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMEGXX10EJ 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEM4010PD PNP transistor/Schottky diode module
PMEM4020ND NPN transistor/Schottky-diode module
PMEM4020PD PNP transistor/Schottky-diode module
PMEPGZ3230USERGUIDE PMEPGZ3230 User Guide
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMEGXX10EJ 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEH2010AEH 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Low VCEsat (BISS) transistors
PMEM1505NG 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-353
PMEM1505NG T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM1505NG,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2