參數(shù)資料
型號： PMEM4010PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky diode module
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 76K
代理商： PMEM4010PD
2002 Oct 28
8
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky diode module
PMEM4010PD
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT457
SC-74
w
B
M
bp
D
e
pin 1
index
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
v
M
A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
c
X
1
3
2
4
5
6
Plastic surface mounted package; 6 leads
SOT457
UNIT
A1
bp
c
D
E
HE
Lp
Q
y
w
v
mm
0.1
0.013
0.40
0.25
3.1
2.7
0.26
0.10
1.7
1.3
e
0.95
3.0
2.5
0.2
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.6
0.2
0.33
0.23
A
1.1
0.9
97-02-28
01-05-04
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參數(shù)描述
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PMEM4010PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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PMEM4020AND,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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