參數(shù)資料
型號： PMEM4020ND
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN transistor/Schottky-diode module
中文描述： 1650 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： PMEM4020ND
2003 Nov 10
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN transistor/Schottky-diode module
PMEM4020ND
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NPN transistor
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 40 V; I
E
= 0
V
CB
= 40 V; I
E
= 0; T
amb
= 150
°
C
V
CE
= 30 V; I
B
= 0
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 500 mA
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V; I
C
= 2 A; note 1
300
300
200
75
150
150
100
50
100
100
900
75
100
190
400
1.2
190
1.1
nA
μ
A
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
current gain (DC)
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
= 100 mA; I
B
= 1 mA
mV
mV
mV
mV
V
m
V
MHz
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; note 1
V
CE
= 5 V; I
C
= 1 A
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= 0; i
e
= 0;
f = 1 MHz
V
BEsat
R
CEsat
V
BEon
f
T
base-emitter saturation voltage
equivalent on-resistance
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
10
pF
Schottky barrier diode
V
F
continuous forward voltage
see Fig.2; note 1
I
F
= 10 mA
I
F
= 100 mA
I
F
= 1000 mA
see Fig.3; note 1
V
R
= 5 V
V
R
= 8 V
V
R
= 15 V
V
R
= 5 V; f = 1 MHz; see Fig.4
240
300
480
270
350
550
mV
mV
mV
I
R
reverse current
5
7
10
19
10
20
50
25
μ
A
μ
A
μ
A
pF
C
d
diode capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMEM4020PD PNP transistor/Schottky-diode module
PMEPGZ3230USERGUIDE PMEPGZ3230 User Guide
PMEPGUSERGUIDE PM EPG User Guide
PMF202 Low Power RS485 Interface Transceiver; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMFA120T Quad Low Power RS485 Driver; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: -40°C to +85°C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMEM4020ND T/R 功能描述:肖特基二極管與整流器 DIODE/TRANS MODULE TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
PMEM4020ND,115 功能描述:肖特基二極管與整流器 DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
PMEM4020PD 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-457
PMEM4020PD T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM4020PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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