參數(shù)資料
型號： PMEM4020PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky-diode module
中文描述： 1300 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： PMEM4020PD
2003 Nov 24
6
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky-diode module
PMEM4020PD
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
500
0
(1)
(3)
VF (mV)
IF
(mA)
100
200
300
400
10
10
2
1
MLE230
(2)
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Schottky barrier diode.
(1) T
amb
= 125
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
10
4
25
0
5
10
15
20
VR (V)
5
10
3
10
2
10
1
MHC312
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
Schottky barrier diode.
(1) T
amb
= 125
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
5
10
20
60
20
0
40
15
VR (V)
MHC313
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
Schottky barrier diode;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
200
400
600
800
1000
MHC088
10
1
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
PNP transistor;
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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PDF描述
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PMFA160 Quad Low Power RS485 Driver; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C
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參數(shù)描述
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PMEM4020PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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