參數(shù)資料
型號(hào)： PN2222
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： PN2222
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
(R2.29)
3
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[1.27
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]
3.60
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0.20
1
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0
1
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(
4
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0
4.58
+0.25
–0.15
0.38
+0.10
0
+
–
TO-92
Package Dimensions
P
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN2222A NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PN2369A NPN Switching Transistor
PN2369A Small Signal Transistors
PN2369A Mini size of Discrete semiconductor elements
PN268(NC) PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 850NM PEAK WAVELENGTH | 30M | LED-2B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PN2222_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2222_J61Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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