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參數(shù)資料
| 型號： | PN2484 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Small Signal Transistors |
| 中文描述： | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | PN2484 |
P
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
obo
Output Capacitance
Input Capacitance
NF
Noise Figure
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
3.0%
I
C
= 10
μ
A, I
B
= 0
I
C
= 10 mA, I
E
= 0
60
60
V
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
V
CB
= 45 V, I
E
= 0
V
CB
= 45 V, I
E
= 0, T
A
= 150
°
C
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
5.0
V
nA
μ
A
nA
10
10
10
I
EBO
Emitter Cutoff Current
V
CB
=5.0 V, f = 140 kHz
V
EB
= 0.5 V, f = 140 kHz
I
C
= 10
μ
A, V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 10k,f = 1.0 kHz,BW =200 Hz
6.0
6.0
3.0
pF
pF
dB
C
ibo
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V*
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V
250
800
0.35
0.95
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN2906 | PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
| PN2906A | PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
| PN2907 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| PN2907A | PNP switching transistor |
| PN2907A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PN2484_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| PN2484_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2484_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2484_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN2484_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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