參數(shù)資料
型號(hào)： PN2907AAMO
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： PN2907AAMO
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PDF描述
PN2907ARA TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
PN2907ARM TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
PN35-1 PHOTOVOLTAIC TAPE/CARD READER ARRAY
PN4RA PHOTOVOLTAIC TAPE/CARD READER ARRAY
PN3563 NPN RF Amplifier(NPN射頻放大器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN2907A-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A-BP 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
PN2907ABU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907AG-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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