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參數(shù)資料
| 型號： | PN3548 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 10/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1453K |
| 代理商： | PN3548 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN2243 | Improved Industry Standard Parallel 12-Bit Multiplying DAC; Package: PDIP; No of Pins: 20; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| BSX54 | TRANSISTOR | BJT | NPN | TO-18 |
| BSX53 | TRANSISTOR | BJT | NPN | TO-18 |
| BSX51 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
| BF413 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 170V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PN3563 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| PN3563 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| PN3563_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Amplifier |
| PN3563_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| PN3563_D74Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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