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參數(shù)資料
| 型號： | PN3568 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| 中文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | PN3568 |
P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 30 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
V
CB
= 40 V, I
E
= 0, T
A
= 75
°
C
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
60
80
5.0
V
V
V
nA
μ
A
nA
50
5.0
25
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 30 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
40
40
120
0.25
1.1
V
CE(
sat
)
V
BE(
on)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Input Capacitance
Small-Signal Current Gain
C
ob
C
ib
h
fe
V
CB
= 10 V, f = 1.0 MHz
V
EB
= 0.5 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 50 mA, V
CE
= 10 V,
f = 20 MHz
20
80
30
pF
pF
3.0
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN3640 | PNP Switching Transistor |
| PN3640 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| PN3646 | NPN Switching Transistor |
| PN3646 | Small Signal Transistors |
| PN3904 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PN3568 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR |
| PN3568_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
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| PN3568_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN3568_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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