參數資料
型號: PN5141
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 6V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92
文件頁數: 21/36頁
文件大?。?/td> 1453K
代理商: PN5141
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料
PDF描述
PN5140 TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
PN3250 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
PN3117 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | TO-92
PN2904 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
BC338-10 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
PN5142 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
PN5143 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
PN5172 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
PN5179 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN5179_D26Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel